[发明专利]横向沟槽MESFET有效
| 申请号： | 201210177984.1 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810563A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.梅泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及横向沟槽MESFET。一种晶体管包括在半导体主体中形成的沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部。所述晶体管进一步包括设置在所述沟槽中与所述侧壁相邻的第一半导体材料以及设置在所述沟槽中并且通过所述第一半导体材料与所述侧壁隔开的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述第一半导体材料的带隙。所述晶体管还包括设置在所述沟槽中并且通过所述第二半导体材料与所述第一半导体材料隔开的栅极材料。所述栅极材料提供所述晶体管的栅极。源极和漏极区域布置在所述沟槽中，其中插入在所述源极和漏极区域之间的沟道在第一或第二半导体材料中，以使得所述沟道具有沿所述沟槽的侧壁的横向电流流动方向。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 沟槽 mesfet | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：在半导体主体中形成的沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部；设置在所述沟槽中与所述侧壁相邻的第一半导体材料；设置在所述沟槽中并且通过所述第一半导体材料与所述侧壁隔开的第二半导体材料，所述第二半导体材料具有不同于所述第一半导体材料的带隙；设置在所述沟槽中并且通过所述第二半导体材料与所述第一半导体材料隔开的栅极材料，所述栅极材料提供所述晶体管的栅极；以及布置在所述沟槽中的源极和漏极区域，其中插入在所述源极和漏极区域之间的沟道在第一或第二半导体材料中，以使得所述沟道具有沿所述沟槽的侧壁的横向电流流动方向。
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