[发明专利]半导体盲孔的检测方法有效
| 申请号： | 201210174089.4 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456653A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供具有导电区的半导体基底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔，其中至少一个盲孔的底部区域具有电阻率大于导电区的高电阻层，且高电阻层和导电区间没有欧姆接触;在各个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率;在多个盲孔内填入导电材料，且导电材料位在阻档层上；进行一热工艺，使导电材料和半导体基底间的部分区域形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔，其特征在于至少一所述盲孔的底部区域具有电阻率大于所述导电区的高电阻层，且所述高电阻层和所述导电区间没有欧姆接触;于所述各个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其特征在于所述阻档层的电阻率大于所述导电区的电阻率;于所述多个盲孔内填入导电材料，且所述导电材料位在所述阻档层上；进行一热工艺，使所述导电材料和所述半导体基底间的部分区域形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有所述导电材料的所述多个盲孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
