[发明专利]绝缘栅场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210173384.8 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102723358A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 程凯 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法。通过在氮化物晶体管结构上生长介质层时引入金属的方法，改变介质层的化学特性，起到控制刻蚀速度和深度的作用。在栅极区域局部减薄形成凹槽结构，并且在栅极处保留部分介质层。在栅极凹槽区域的介质层上，设置金属栅极，形成金属/介质层/半导体接触，同时利用凹槽形成场板结构。由于整个工艺流程中，半导体表面被介质层保护，极大减小了工艺过程中氮化物表面的损伤、应力的释放和氮化物表面的沾污，极大的降低器件的电流崩塌效应。而且由高质量的介质层构成的MISFET或者MOSFET结构，可以大大降低栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；设于所述衬底上的氮化物晶体管结构；所述氮化物晶体管结构上的介质层，所述介质层包括所述氮化物晶体管结构上的第一介质层、所述第一介质层上的第二介质层以及所述第二介质层上的第三介质层，其中，所述第二介质层的材质中含有金属，所述介质层上定义有栅极区域及分别位于所述栅极区域两侧的两处欧姆接触区域，该两处欧姆接触区域分别贯穿所述介质层；形成于所述栅极区域且至少部分贯穿所述介质层的凹槽；形成于所述凹槽内的金属栅极；位于所述两处欧姆接触区域的源电极和漏电极。
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