[发明专利]相变随机存取存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210172656.2 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810633A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 沈揆赞 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造相变随机存取存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在第一层间绝缘层的接触孔中形成开关器件；形成具有暴露出开关器件的开口的第二层间绝缘层；沿第二层间绝缘层的侧壁来形成与开关器件耦接的下电极图案；形成掩埋在下电极图案中的绝缘层；通过将下电极图案的暴露的表面去除设定的高度来形成下电极，其中，所述下电极的侧壁的高度低于所述第二层间绝缘层的高度；形成将去除了下电极图案的暴露的表面的第二层间绝缘层的孔填充的相变层；以及在第二层间绝缘层的一部分和相变层上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变随机存取存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上的第一层间绝缘层的接触孔中形成开关器件；形成具有暴露出所述开关器件的开口的第二层间绝缘层；沿所述第二层间绝缘层的侧壁形成与所述开关器件耦接的下电极图案；形成掩埋在所述下电极图案中的绝缘层；通过将所述下电极图案的暴露的表面去除设定的高度来形成下电极，其中，所述下电极的侧壁的高度低于所述第二层间绝缘层的高度；形成将去除了所述下电极图案的暴露的表面的所述第二层间绝缘层的孔填充的相变层；以及在所述第二层间绝缘层的一部分和所述相变层上形成上电极。
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