[发明专利]高压BCD工艺中高压器件的隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210171793.4 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102664161B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;张邵华;江宇雷;孙样慧;俞国强 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构及其制造方法，所述隔离结构包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级；场氧化层，位于所述隔离区上。本发明能够使BCD高压器件所在外延岛得到有效隔离，提高BCD工艺中高压器件的击穿电压，而且在最小场氧化层的厚度下，使高压器件铝布线和硅表面的寄生开启电压可以达到1200V以上，从而改善整个高压BCD工艺硅表面氧化层台阶的平坦度，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 bcd 工艺 器件 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压BCD工艺中高压器件的隔离结构，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；具有第二掺杂类型的外延层，位于所述半导体衬底上，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；具有第一掺杂类型的隔离区，贯穿所述外延层并延伸至所述半导体衬底内，所述隔离区的掺杂浓度与所述外延层的掺杂浓度为同一数量级，相邻隔离区之间的外延层为外延岛，所述高压器件形成于该外延岛上，所述隔离区用于所述外延岛的隔离；场氧化层，位于所述隔离区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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