[发明专利]一种埋栅结构异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种埋栅结构异质结太阳电池。其包括N型单晶硅衬底、正极、负极、透明导电薄膜以及在N型单晶硅衬底正面和背面制备形成的若干膜层；在N型单晶硅衬底正面制备形成的膜层包括P型氢化纳米硅膜层和P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层，并形成p+/p高低结；N型单晶硅衬底正面和背面的最外层均制备形成一层透明导电薄膜；N型单晶硅衬底正面上设有凹槽，电池正极设置于凹槽内；电池负极设置于所述N型单晶硅衬底背面。本发明中利用P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层作为宽带隙窗口层，增加可见光吸收，重掺杂形成较高的内建电场；利用刻槽技术减少栅线遮光面积；高电学性能和光电导的氢化纳米硅提高太阳电池性能，从而实现了高效低成本的目标。

主权项

一种埋栅结构异质结太阳电池，包括N型单晶硅衬底（9）、电池正极（1）、电池负极（8）、透明导电薄膜（3）以及在所述N型单晶硅衬底（9）正面和背面制备形成的若干膜层；其特征在于：所述的在N型单晶硅衬底（9）正面制备形成的膜层包括P型氢化纳米硅膜层（5）和P型重掺杂氢化纳米碳化硅膜层（4），并形成p+/p高低结；所述N型单晶硅衬底（9）正面和背面的最外层均制备形成一层透明导电薄膜（3）；所述N型单晶硅衬底（9）正面上设有凹槽（2），所述的电池正极（1）设置于凹槽（2）内；所述的电池负极（8）设置于所述N型单晶硅衬底（9）背面。