[发明专利]晶体硅太阳能电池制造方法及激光二次烧结方法无效
| 申请号： | 201210168834.4 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723267A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 卢建刚;邢国强;陶龙忠;李晓强;夏正月;杨灼坚;董经兵;宋文涛 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池制造的激光二次烧结方法，包括如下步骤：第一次烧结：激光脉冲的宽度为0.1至300ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1至25 J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm；第二次烧结：激光脉冲的宽度为20至1600ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1至25 J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm。本发明还公开了一种制造晶体硅太阳电池的方法。本发明能提高烧结工艺稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 制造 方法 激光 二次 烧结 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池制造的激光二次烧结方法，包括如下步骤：1）第一次烧结：激光脉冲的宽度为0.1ns至300ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1 J/cm2至25 J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm；2）第二次烧结：激光脉冲的宽度为20ns至1600ns；激光脉冲的数量为1个或1个以上；激光脉冲的能量密度为1 J/cm2至25 J/cm2；激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波；激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
