[发明专利]双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)开孔；(2)清洗、制绒；(3)采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子；第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4)在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子；(5)采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子；第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6)将硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子；(7)热氧化、退火；(8)设置减反射膜；(9)设置孔金属电极；印刷，烧结。本发明采用离子注入的方法，较好地控制注入的位置，由其得到的太阳能电池不存在扩散制结处的短路问题；清洗去除掺杂后的硅片表层原子，获得了高质量的表面状态，实现对硅片表面的良好的钝化，取得了显著的效果。

主权项

一种双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片上开孔；(2) 清洗硅片表面，去除损伤层，在硅片的正面和背面进行制绒；(3) 采用离子注入的方法在硅片的正面和孔内注入第一掺杂原子，形成第一掺杂层；所述第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(4) 采用离子注入的方法在硅片背面的孔的周围区域注入第一掺杂原子，第一掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相反；(5) 采用离子注入的方法在硅片背面的非孔周围区域注入第二掺杂原子，形成第二掺杂层；所述第二掺杂原子的掺杂类型与硅片的类型相同；(6) 将上述硅片放入清洗液中，去除硅片正面和背面的表层原子，去除深度为1~100nm；所述清洗液包括氧化剂和溶解剂，所述氧化剂选自HNO3、H2SO4、H2O2、CH3COOH和O3中的一种或几种，所述溶解剂选自NH4HF2、HF和NH4OH中的一种或几种；(7) 将上述硅片进行热氧化、退火；(8) 在硅片的正面和背面设置减反射膜；(9) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结，即可得到双面背接触晶体硅太阳能电池。