[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其形成方法，形成方法包括形成感光二极管的N型掺杂区，每一个感光二极管的N型掺杂区的形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成掩膜层；图形化掩膜层，形成栅状结构，使离子注入区域和阻挡区域交替分布；以图形化的掩膜层为掩膜，对衬底进行垂直于衬底上表面的第一N型离子注入形成第一N型掺杂区；以图形化的掩膜层为掩膜，对衬底进行第二N型离子注入形成第二N型掺杂区，第二N型离子注入的注入方向与所述衬底法线呈预定角度；进行退火工艺，使第一N型掺杂区和第二N型掺杂区中的N型离子扩散形成感光二极管的N型掺杂区，N型掺杂区的离子掺杂浓度呈梯度分布。本方案可以提高电子传输效率，节约工艺成本。

主权项

一种形成CMOS图像传感器的方法，包括形成感光二极管的N型掺杂区，其特征在于，每一个感光二极管的N型掺杂区的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩膜层；图形化所述掩膜层，在所述掩膜层中形成在一条直线上的多个开口，多个开口以及开口之间的掩膜层构成栅状结构，使离子注入区域和阻挡区域交替分布，多个开口以及多个开口之间的掩膜层定义出感光二极管的N型掺杂区的位置；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述衬底进行第一N型离子注入形成第一N型掺杂区，所述第一N型离子注入的注入方向垂直于所述衬底的上表面；以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述衬底进行第二N型离子注入形成第二N型掺杂区，所述第二N型离子注入的注入方向与所述衬底法线呈预定角度；进行退火工艺，使第一N型掺杂区和第二N型掺杂区中的N型离子扩散形成感光二极管的N型掺杂区，沿感光二极管至浮置扩散区的方向上，所述感光二极管的N型掺杂区的离子掺杂浓度呈梯度增大。