[发明专利]SONOS存储单元及其操作方法、SONOS存储器

摘要

SONOS存储单元及其操作方法、SONOS存储器。所述SONOS存储单元包括：P型衬底；位于所述P型衬底内的N阱；位于所述N阱上的叠层结构，所述叠层结构由下至上依次包括隧穿介质层、电荷捕获层和顶部介质层；位于所述顶部介质层上的栅极；位于所述N阱内、在所述叠层结构两侧且均为P型掺杂的源极和漏极；所述方法包括：在所述N阱施加第一偏置电压，在栅极上施加第一编程电压，在源极上施加第二编程电压，在漏极上施加第三编程电压，以实现对所述SONOS存储单元的编程操作；其中，所述第一偏置电压、第二编程电压、第三编程电压均小于所述第一编程电压。本发明的SONOS存储单元可实现低功耗编程，且在一个存储单元中可存储两位数据，有效提高了其存储容量。

主权项

一种SONOS存储单元，其特征在于，包括：P型衬底；位于所述P型衬底内的N阱；位于所述N阱上的叠层结构，所述叠层结构由下至上依次包括隧穿介质层、电荷捕获层和顶部介质层；位于所述顶部介质层上的栅极；以及位于所述N阱内、在所述叠层结构两侧且均为P型掺杂的源极和漏极。