[发明专利]物理隔离的硅纳米晶双位存储结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210158725.4 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709314A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种物理隔离的硅纳米晶双位存储结构及其制备方法，该器件包括形成于P型衬底上的具有侧墙的栅极，所述栅极两侧的衬底分别具有源、漏区，其特征在于，所述栅极包括：物理隔离区，包括底面和侧面由隔离氧化硅层包裹的多晶硅；两存储区，设置于所述物理隔离区两侧，所述存储区包括由竖直方向上依次相叠的底部氧化硅层，氮化硅层以及阻挡氧化硅层，所述氮化硅层中含有硅纳米晶，所述阻挡氧化硅层上沉淀有多晶硅。本发明有物理隔离区的器件结构和原有的结构不同，其物理隔离区可以改善存储位的串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 隔离 纳米 晶双位 存储 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种物理隔离的硅纳米晶双位存储结构，包括形成于P型衬底上的具有侧墙的栅极，所述栅极两侧的衬底分别具有源、漏区，其特征在于，所述栅极包括：物理隔离区，包括底面和侧面由隔离氧化硅层包裹的多晶硅；两存储区，设置于所述物理隔离区两侧，所述存储区包括由竖直方向上依次相叠的底部氧化硅层，氮化硅层以及阻挡氧化硅层，所述氮化硅层中含有硅纳米晶，所述阻挡氧化硅层上沉淀有多晶硅。
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