[发明专利]单晶制造装置、单晶制造方法和单晶无效
申请号: | 201210156615.4 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN102787351A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 青山浩一郎 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20;C30B29/66 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够容易地培育结晶性能优异、不同直径的单晶的单晶制造装置等。单晶制造装置(1)具备由底部(21)、从底部(21)的周围竖立的筒状的壁部(22)和被设置在壁部(22)上且在中央部具有开口部(23a)的圆板状的盖部(23)构成的保持氧化铝熔体(300)的坩埚(20),从壁部(22)对坩埚(20)进行加热的上部加热器(30),设置在坩埚(20)的下方、从底部(21)对坩埚(20)进行加热的下部加热器(35),从氧化铝熔体(300)中提拉蓝宝石晶棒(200)的提拉棒(40),将电力供给到上部加热器(30)的上部加热器电源(90)和将电力供给到下部加热器(35)的下部加热器电源(95)。 | ||
搜索关键词: | 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶制造装置,具备坩埚、第1发热体、第2发热体、提拉部和第1电源,所述坩埚具备底部、壁部和盖部,所述壁部被设置在该底部上,与该底部相接触,所述盖部具有开口部,该盖部被设置成与该壁部的上侧相接触或分离开,通过该底部和该壁部保持由原料热熔化而成的熔体;所述第1发热体被设置成从外部包围所述坩埚的所述壁部,其借助电流来发热,通过辐射热从该壁部对该坩埚进行加热;所述第2发热体被设置在所述坩埚的所述底部的下方,其借助电流来发热,通过辐射热从该底部对该坩埚进行加热;所述提拉部用于从保持在所述坩埚中的所述熔体提拉出具备肩部和胴部的单晶;所述肩部的与提拉方向垂直的截面的面积朝着与该提拉方向相反的方向逐渐变大;所述胴部从该肩部延伸,其与该提拉方向垂直的截面的面积的变化比该肩部小;所述第1电源将电流供给到所述第1发热体,并且,被控制成在所述单晶的所述胴部的形成中供给到该第1发热体的电力逐渐减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210156615.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。