[发明专利]半绝缘外延的碳化硅及相关的宽带隙晶体管无效
| 申请号： | 201210152949.4 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102723360A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·S·马佐拉 | 申请（专利权）人： | SSSCIP有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/808;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;姚志远 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半绝缘外延层的制造方法，该方法包括向衬底或形成在衬底上的第一外延层注入硼离子，以在该衬底的表面上或在该第一外延层的表面上形成注入硼的区域，以及在该衬底的注入硼的区域上或在该第一外延层的注入硼的区域上生长第二外延层，以形成半绝缘外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 外延 碳化硅 相关 宽带 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；可选的第一外延层，位于所述衬底上；第二外延层，位于所述衬底上或所述第一外延层上，并具有与所述衬底或所述第一外延层接触的下表面；以及半绝缘区域，在所述第二外延层中并邻近于所述第二外延层的所述下表面，其中，所述半绝缘区域包括与硼相关的D中心。
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