[发明专利]一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用有效
| 申请号： | 201210152497.X | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709133A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈军;陈毅聪;许宁生;邓少芝 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列的结构、制作方法及其在场发射显示器件中的应用。该电子源阵列结构包括衬底；嵌入在衬底里的底层电极条和与其交叉排列的上层电极条；上下层电极条之间的绝缘层，以及制作在阴极电极条上的冷阴极阵列。该电子源阵列结构采用薄膜微加工的方法制作：通过在衬底刻蚀凹槽，将底层电极条嵌入到衬底里。其优点是降低了制作在底层电极条上面的绝缘层薄膜和上层电极条的台阶高度，降低了绝缘层所承受的电场，提高了其可靠性。另外，通过控制凹槽深度，可以在保持绝缘层及上层电极条的平整度的前提下，增加底层电极条的厚度，从而提高其导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 嵌入式 电极 阴极 电子 阵列 及其 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列，其特征在于，包括：（1）衬底；（2）嵌入到衬底里的底层电极条和与底层电极条垂直交叉排列的上层电极条，该上下层电极条其中之一为阴极，另一个为栅极；（3）制作于上下层电极条之间的绝缘层；（4）制作在阴极电极条上的冷阴极材料。
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