[发明专利]具有P型AlGaN层结构的LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210150671.7 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102637796A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张宇;苗振林;余小明;牛凤娟;刘锐森 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有P型AlGaN层结构的LED芯片及其制备方法。本发明提供的LED芯片中所设置的P型AlGaN层中Al的掺杂量有规律的改变后，改变了P型AlGaN层的能带分布，减弱了了P型AlGaN层的价带对空穴注入时的阻挡作用，同时不削弱其对电子的阻挡作用。所形成的能带具有多个势阱，这些势阱能带有利于空穴的注入。而势垒则能继续对电子的阻挡作用。通过采用该结构，LED芯片的亮度提升8~10%，所需电压下降0.05~0.10V。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 algan 结构 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有P型AlGaN层结构的LED芯片，包括设置于量子阱层与P型氮化镓层之间的所述P型AlGaN层，其特征在于，所述P型AlGaN层为P型AlGaN/P型GaN超晶格结构。
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