[发明专利]一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及其装置有效
| 申请号： | 201210148928.5 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102644105A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴晟 | 申请（专利权）人： | 吴晟 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张飙 |
| 地址： | 100190 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及其装置，在坩埚的上方设置可移动绝热调节元件，生长碳化硅晶体时，随着坩埚盖上的晶体长厚，逐步增大可移动绝热调节元件与坩埚盖之间的距离D；其中，随晶体厚度增加，晶体对热流Q的热阻Rc将增大；可移动绝热调节元件对热流Q的等效热阻Rb将随距离D的增大而减小，通过保持Rc的增大量与Rb的减小量相互动态平衡，来保证结晶介面温度保持不变。本发明将坩埚盖上面的绝热元件更改成在晶体生长过程中可以根据工艺要求来移动，通过改变与石墨坩埚盖间的距离，从而改变保温系统的几何结构、改变石墨坩埚的能量输出而达到在晶体生长的过程中调节石墨坩埚内的温场的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 碳化硅 晶体 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其特征在于，该方法具体为：在坩埚的上方设置可移动绝热调节元件，生长碳化硅晶体时，随着坩埚盖上的晶体长厚，逐步增大可移动绝热调节元件与坩埚盖之间的距离D；其中，随晶体厚度增加，晶体对热流Q的热阻Rc将增大；可移动绝热调节元件对热流Q的等效热阻Rb将随距离D的增大而减小，通过保持Rc的增大量与Rb的减小量相互动态平衡，来保证结晶介面温度保持不变。
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