[发明专利]波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法有效
| 申请号： | 201210148448.9 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102790355A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 小山泰史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种波导、包括该波导的装置及制造该波导的方法，使用该波导抑制了在初始阶段中或在操作期间在半导体中引起的或由制造工艺等引起的应力和缺陷，从而预期有特性的改进和稳定性。该波导包括：第一导体层和第二导体层，其包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与第一导体层和第二导体层接触，并且被放置在第一导体层与第二导体层之间，并且包括半导体部分。包括半导体部分的核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 包括 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种波导，包括：第一导体层和第二导体层，所述第一导体层和第二导体层包括相对于波导模式下的电磁波具有负介电常数实部的负介电常数介质；以及核心层，其与所述第一导体层和所述第二导体层接触并且被放置在所述第一导体层与所述第二导体层之间，并且包括半导体部分，其中，包括所述半导体部分的所述核心层具有在面内方向上延伸的凹入凸出结构，以及其中，所述凹入凸出结构被布置在与所述波导模式下的所述电磁波的传播方向垂直的方向上，并且包括多个凸出部分。
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