[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法有效
| 申请号： | 201210147848.8 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103390574A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 周晓君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形有第一氧化层和第一掩膜层，以及浅沟槽隔离槽；去除第一掩膜层，并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层，并在第二氧化层上沉积第二掩膜层；在第二掩膜层上沉积第三氧化层，并利用第三氧化层将所述浅沟槽隔离槽填满；回刻第三氧化层和第二掩膜层，直到将处于所述浅沟槽隔离槽以外的第二掩膜层去除；去除浅沟槽隔离槽以外的第二氧化层。本发明中，由于第二掩膜层的存在，保护了有源区（P阱和N阱）边缘和无源区（浅沟槽隔离）边缘部分，避免了该部分凹槽的产生，进而使得该处漏电得到了有效的控制，提升了半导体器件尤其是窄沟道半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制造 方法 cmos | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一氧化层和第一掩膜层，对所述第一掩膜层、第一氧化层以及部分衬底进行刻蚀形成浅沟槽隔离槽；去除所述第一掩膜层，并在包括浅沟槽隔离槽槽底和侧壁的衬底表面形成第二氧化层，并在所述第二氧化层上沉积第二掩膜层；在所述第二掩膜层上沉积第三氧化层，并利用所述第三氧化层将所述浅沟槽隔离槽填满；回刻所述第三氧化层和第二掩膜层，直到将处于所述浅沟槽隔离槽以外的第二掩膜层去除，并保留处于所述浅沟槽隔离槽中的第三氧化层和第二掩膜层；去除浅沟槽隔离槽以外的第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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