[发明专利]FinFET及其形成方法

摘要

一种方法包括：在第一半导体鳍状件上形成包括栅电极的栅极堆叠件。栅电极包括位于第一半导体鳍状件的中部上方并且与其对准的部分。第二半导体鳍状件位于栅电极的一侧上，并且不延伸到栅电极下方。第一和第二半导体鳍状件相互间隔开并且相互平行。第一半导体鳍状件和第二半导体鳍状件的端部被蚀刻。执行外延，以形成外延区，其包括延伸到由第一半导体鳍状件的被蚀刻的第一端部留下的第一间隔中的第一部分、以及延伸到由被蚀刻的第二半导体鳍状件留下的第二间隔中的第二部分。在外延区中形成第一源极/漏极区。本发明还提供了一种FinFET及其形成方法。

主权项

一种方法，包括：在第一半导体鳍状件的中部的侧壁上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上方形成栅电极，其中，所述栅电极包括位于所述第一半导体鳍状件的中部上方并且与所述第一半导体鳍状件的中部对准的部分，其中，第二半导体鳍状件位于所述栅电极的第一侧上，并且不延伸到所述栅电极下方，并且其中，所述第一半导体鳍状件和所述第二半导体鳍状件相互间隔开并且相互平行；蚀刻所述第一半导体鳍状件的第一端部和所述第二半导体鳍状件；执行外延，以形成第一外延区，其中，所述外延区包括：第一部分，延伸到由经过蚀刻的所述第一半导体鳍状件的第一端部留下的第一间隔中；以及第二部分，延伸到由经过蚀刻的所述第二半导体鳍状件留下的第二间隔中，其中，所述第一部分和所述第二部分相互结合，以形成所述第一外延区；以及在所述第一外延区中形成第一源极/漏极区。