[发明专利]SiC MOSFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210143467.2 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103390634A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC MOSFET结构及其制造方法，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe堆叠沟道结构，同时形成SiGe源区和SiGe漏区，利用SiC、SiGe之间的晶格位错增大沟道区应力，提高沟道区载流子迁移率；进一步的，在原SiC沟道区的基础上形成SiC-SiGe-Si堆叠沟道结构，增强沟道应力，在通过在SiC沟道区注入氮、氟等离子来改善SiC沟道区的界面缺陷，抑制源区和漏区的Ge扩散，改善短沟道效应，增大载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC MOSFET结构，包括栅极、源区、漏区、沟道及衬底，其特征在于，所述源区和漏区为SiGe材料，所述沟道包括沿所述衬底至所述栅极方向堆叠的SiC层和SiGe层。
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