[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 201210143459.8 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103390699A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 刘恒 | 申请(专利权)人: | 华夏光股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;文琦 |
地址: | 开曼群岛KY1-11*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为一种发光二极管及其制造方法,包含图案化基板,其具有多个突出部分,且相邻突出部分之间具有平坦区域;至少一缓冲层,形成于图案化基板上,且至少填满图案化基板之突出部分之间的空隙;具多个凹坑的凹坑层,形成于缓冲层上;及发光组件,形成于凹坑层上并填满凹坑。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管的制造方法,包含:提供一图案化基板,该图案化基板具有多个突出部分,且相邻所述突出部分之间具有平坦区域;形成至少一缓冲层于所述图案化基板上,其中所述缓冲层至少填满所述图案化基板之突出部分之间的空隙;形成一凹坑层于所述缓冲层上,该凹坑层具有多个凹坑;及形成一发光组件于所述凹坑层上,并填满所述凹坑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华夏光股份有限公司,未经华夏光股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210143459.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。