[发明专利]具有弱交换耦合的反铁磁层的磁性器件无效
| 申请号： | 201210142348.5 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102709465A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | R·R·凯蒂 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个示例中提供一种磁性器件，其包括具有磁各向异性的自由层。该磁各向异性至少部分地不均匀。磁性器件进一步包括邻近自由层且与自由层弱交换耦合的反铁磁层，其中该弱交换耦合减小自由层的磁各向异性的不均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 交换 耦合 反铁磁层 磁性 器件 | ||
【主权项】：
一种磁性器件(2)，包括：自由层(10)，具有磁各向异性，其中该磁各向异性至少部分地不均匀；以及反铁磁层(8)，其邻近自由层且与自由层弱交换耦合，其中该弱交换耦合减小自由层的磁各向异性的不均匀性。
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