[发明专利]在碲锌镉晶体表面制备In重掺杂的Au/In欧姆接触电极的方法

摘要

本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。

主权项

一种在碲锌镉晶体表面制备In重掺杂的Au/In欧姆接触电极的方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：    a.首先用水洗金刚砂粉和粒径为0.3μm的刚玉微粉抛光液对CZT(111)方向的晶片依次研磨，最后用0.05μm的刚玉微粉抛光液手抛至表面平整、无划痕与拉丝，超声清洗后在N2气氛下风干；抛光后晶片表面光亮，无缺陷损伤，干涉显微镜下观察，表面干涉条纹细而直；采用组分为5%Br2＋甲醇(BM)和2%Br2＋20%乳酸＋乙二醇(LB)的腐蚀液对抛光后的碲锌镉（CZT）晶片进行表面化学处理，时间均为2分钟，并对完成腐蚀的晶片在甲醇中润洗以去除表面残余的Br2；    b.用磁控溅射法，真空度为10‑3Pa，温度为200℃条件下，溅射时间为15min‑45min；在CZT表面溅射一层厚度在0.05μm‑0.2μm范围内的In电极；然后再制备一层厚度在0.2μm‑1.0μm范围内的Au电极；对晶体封装之后进行高温300℃~550℃范围内的退火，使CZT表面形成一层较薄（1nm‑10nm）的In重掺杂区；最终制备In重掺杂的Au/In欧姆接触电极。