[发明专利]强磁场下电子束注入约束方法及其装置有效
| 申请号： | 201210139435.5 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102708931A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 丁永华;金海;王能超;岑义顺 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G21B1/05 | 分类号： | G21B1/05 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种强磁场下电子束注入约束的方法及其装置。该方法在磁场中外加一个电场，该电场在沿磁场方向上形成电势阱位形，在垂直于磁场方向形成漂移电场，在所述电势阱中，电子束受到电场力分量的作用沿磁力线方向做往复运动，并在垂直磁力线方向上以电场漂移速度横越磁力线。该装置包括负极板，正极板，阴极，以及第一、第二阱极板。本发明方法通过电势阱的约束，使电子束在平行磁场的方向被有效地约束住，以电场漂移速度横越磁场。本发明装置当阴极产生电子束后，电子束在平行于磁场的方向被很好的约束，并横越磁力线，而不会沿着磁力线漂走，同时也不会影响原来的磁场位形，并且注入的效率非常高，工艺的实现也简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 电子束 注入 约束 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种强磁场下电子束注入约束的方法，其特征在于：在磁场中外加一个电场，该电场在沿磁场方向上形成电势阱位形，在垂直于磁场方向形成漂移电场，在所述电势阱中，电子束受到电场力分量的作用沿磁力线方向做往复运动，并在垂直磁力线方向上以电场漂移速度横越磁力线。
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