[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210139034.X | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102683320A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 高冈洋道;窪田吉孝;津田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件。电熔丝包括：形成在基板上方的下层互连；提供在下层互连上的通孔，以便连接到下层互连；以及提供在通孔上的上层互连，以便连接到通孔。第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着下层互连、通孔和上层互连，其中第一导电吸热构件和第二导电吸热构件之间的距离在第一导电吸热构件和第二导电吸热构件夹着上层互连的区域处缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，所述电熔丝包括：下层互连，形成在所述基板上方；通孔，提供在所述下层互连上，以便连接到所述下层互连；以及上层互连，提供在所述通孔上，以便连接到所述通孔；以及第一导电吸热构件和第二导电吸热构件，所述第一导电吸热构件和所述第二导电吸热构件夹着所述下层互连、所述通孔和所述上层互连，其中所述第一导电吸热构件和所述第二导电吸热构件之间的距离在所述第一导电吸热构件和所述第二导电吸热构件夹着所述上层互连的区域处缩短。
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