[发明专利]一种光纤及其制造方法

摘要

本发明涉及一种光纤及其制造方法，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层平均折射率n₁、包层折射率n₂和纯二氧化硅折射率n₀，满足n₁＝(0.997～1.0012)*n₀，n₂＝n₁－(0.0025～0.0045)*n₀；所述的芯层为掺碱金属离子芯层或非掺碱金属离子芯层，所述的包层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成；并且包层和芯层材料掺氟浓度差△[F]、芯层和包层材料羟基浓度差△[OH]、芯层和包层材料掺氯浓度差△[Cl]和芯层材料掺碱金属离子浓度之和[M]，满足△[F]－△[Cl]－300×[M]－150000×△[OH]≤0.8mol%。本发明通过掺杂组分和浓度差的控制使得光纤芯层和包层材料的高温粘度匹配，获得瑞利散射衰减降低的单模光纤，光纤的散射系数降低到≤0.85，使光纤的传输损耗得到有效的降低。

主权项

一种光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层平均折射率n1、包层折射率n2和纯二氧化硅折射率n0，满足n1＝(0.997～1.0012)* n0，n2＝n1－(0.0025～0.0045)* n0；所述的芯层为掺碱金属离子芯层或非掺碱金属离子芯层，所述的掺碱金属离子芯层由掺氟、氯、碱金属离子和含羟基的二氧化硅基材料构成，所述的非掺碱金属离子芯层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成；所述的包层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成；并且包层和芯层材料掺氟浓度差△[F]、芯层和包层材料羟基浓度差△[OH]、芯层和包层材料掺氯浓度差△[Cl]和芯层材料掺碱金属离子浓度之和[M]，满足 △[F]－△[Cl]－300×[M]－150000×△[OH]≤0.8 mol%。