[发明专利]基于SOI的积累型Si-NWFET制备方法有效
申请号: | 201210137452.5 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN102646643A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 黄晓橹;金秋敏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/335;B82Y10/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于SOI的积累型Si-NWFET制备方法,包括:在SOI衬底上形成硅层和锗硅层;刻蚀硅层和锗硅层形成鳍形有源区和源漏区;在鳍形有源区内形成硅纳米线;形成沟道区和栅极并进行源漏区离子注入;形成积累型PMOSFET;沉积层间隔离介质层,在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET。由于基于SOI衬底,使下层PMOSFET中栅极与硅衬层之间能够很好地隔离;上下两层半导体纳米线MOSFET是由层间隔离介质层隔离开,便于层转移工艺的实现,也可以完全独立进行工艺调试,如栅极功函数调节;此外,本发明中PMSOFET与NMOSFET均为积累型,器件具有较高的载流子迁移率。 | ||
搜索关键词: | 基于 soi 积累 si nwfet 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于SOI的积累型Si‑NWFET制备方法,包括:提供SOI衬底,所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬层、埋氧层和顶层硅;将所述顶层硅转化为初始锗硅层;在所述初始锗硅层上形成硅层和后续锗硅层,所述初始锗硅层和后续锗硅层共同构成锗硅层;刻蚀所述锗硅层和硅层形成鳍形有源区;刻蚀所述锗硅层,形成鳍形沟道区,剩余的区域作为源漏区;在所述鳍形有源区内形成硅纳米线;在所述硅纳米线、SOI衬底以及源漏区表面形成栅极氧化层;在所述源漏区之间的SOI衬底上形成栅极;在所述源漏区与栅极之间形成沟道隔离介质层;进行源漏区离子注入以及退火工艺,所述离子类型为P型;进行自对准合金工艺,形成积累型PMOSFET;进行积累型PMOSFET的层间隔离介质层沉积;在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET;进行自对准合金以及后道金属互连工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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