[发明专利]一种用箱体式PECVD设备制备非晶硅锗薄膜电池的方法

摘要

本发明解决了在制备非晶硅锗薄膜电池组件过程中因气体在基板上下端分解速度和分解量不同，而出现所制备的非晶硅锗薄膜中玻璃基板上锗组份含量不均匀、影响电池组件性能的问题，提供一种通过对产生等离子体场的部分电极的结构进行了设计改进，达到以气体补偿方式解决了玻璃基板上下位置处出现的锗的组份不均匀问题的非晶硅锗薄膜电池的设备及制备方法，实现低成本、易于实施的在箱体式PECVD设备上制备出大面积、组份均匀的非晶硅锗薄膜及非晶硅锗薄膜电池。

主权项

一种用箱体式PECVD设备制备非晶硅锗薄膜电池的方法，其特征在于，将等离子箱中部分间隔排列的用于产生等离子体场的电极设计成中空的盒状结构，内部空间即间隙区6A的宽度为5‑10mm，间隙区6A与顶部气盒导通以保证反应气体自由流通，且在用于产生等离子体场的面上即与其他相邻电极的两个面上开有出气孔，孔的直径为0.5‑2mm。