[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210133501.8 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103378064A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构和一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构包括：层间介质层；开口，所述开口形成在所述层间介质层内；金属材料，所述金属材料填充满所述通孔或沟槽；形成在所述金属材料的表面以及所述金属材料与层间介质层之间的石墨烯层。其制作方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成开口；在所述开口内填充金属材料；去除所述牺牲层以暴露金属材料的侧壁；在所述金属材料的表面形成石墨烯层。本发明利用了石墨烯能够依附着铜、镍等金属材料生长的特性，将石墨烯形成在金属互连结构中金属材料的表层，作为金属互连的一部分，显著的减小金属互连结构的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构，其特征在于，包括：层间介质层；开口，所述开口形成在所述层间介质层内；金属材料，所述金属材料填充满所述开口；形成在所述金属材料的表面以及所述金属材料与层间介质层之间的石墨烯层。
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