[发明专利]堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201210132239.5 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN103378214A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 林俊荣;杨能辉 | 申请(专利权)人: | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法。该堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池的制作方法,是依序于背电极层上形成含硫化合物层、硒化亚铜层与锡化锌层,经过硒化与硫化反应后制得硒化含硫化合物层与硒硫化太阳能吸收层,再沉积n型缓冲层与顶电极层制得堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池,其中硒硫化太阳能吸收层包括一低能隙铜锌锡硒层夹置于两高能隙铜锌锡硒硫层间,形成堆叠式太阳能吸收层。此外,本发明亦提供一种堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池,通过堆叠式太阳能吸收层提高光吸收率并且降低电子/空穴的复合率,藉以提升堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池的光电性质。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 式铜锌锡硒硫 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池的制作方法包括:(A)提供一基板,所述基板上形成有一背电极层;(B)于所述背电极层上形成一含硫化合物层;(C)于所述含硫化合物层上形成一硒化亚铜层;(D)于所述硒化亚铜层上形成一锡化锌层,以于所述含硫化合物层上形成一包括有硒化亚铜层与锡化锌层的太阳能前驱物层;(E)硒化所述含硫化合物层与所述太阳能前驱物层,以令所述含硫化合物层转变成一硒化含硫化合物层,并且令所述太阳能前驱物层转变成一硒化太阳能吸收层,其中所述硒化含硫化合物层形成于所述背电极层上,且所述硒化太阳能吸收层形成于所述硒化含硫化合物层上;(F)硫化所述硒化太阳能吸收层,以令其转变成一硒硫化太阳能吸收层,其中所述硒硫化太阳能吸收层包括有一第一铜锌锡硒硫层、一铜锌锡硒层及一第二铜锌锡硒硫层,其中所述第一铜锌锡硒硫层形成于所述硒硫化太阳能吸收层的底部,且所述铜锌锡硒层形成于所述第一铜锌锡硒硫层与所述第二铜锌锡硒硫层之间;以及(G)于所述硒硫化太阳能吸收层上形成一n型缓冲层,并于所述n型缓冲层上形成一顶电极层,以制得一堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的