[发明专利]一种晶闸管芯片的化学清洗方法

摘要

本发明涉及晶闸管生产工艺中原始硅片的化学清洗技术领域，特别涉及一种3000V以下晶闸管芯片的化学清洗方法，其特征在于，针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，针对有机类污染物采用超声波+DZ-1电子清洗剂及混合氨液的两步清洗法。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，HF和HCL加强了清洗效果，减少超声时间，提高清洗效率；2)分别采用DZ-1电子清洗剂和混合氨液对有机类污染物进行两次清洗，由于采用了相对稀释的化学溶液，可以节约化药成本，整体工艺组合后可以满足工艺生产的清洁度要求，并且生产成本较低。

主权项

一种晶闸管芯片的化学清洗方法，其特征在于，针对无机类污染物采用超声波+混合酸液的方法清洗，针对有机类污染物采用超声波+DZ‑1电子清洗剂及混合氨液的两步清洗法，其具体操作步骤如下：1)将上架后的硅片放入装有DZ‑1电子清洗剂的容器中，硅片没入DZ‑1电子清洗剂中，超声清洗30‑35分钟，超声波频率为2‑5MHz，然后用去离子水冲洗干净；2)将步骤1)中冲洗干净的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液一，超声清洗30‑35分钟，然后用去离子水冲洗干净，所述混合酸液的配制体积比为HF∶HCL∶去离子水＝1∶1∶100；3)将步骤2)中冲洗干净的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合氨液，将容器加热，保持药液沸腾5‑10分钟，然后用去离子水冲洗干净，所述混合氨液的配制体积比为H2O2∶NH4OH∶去离子水＝1∶2∶20；4)将步骤3)中冲洗干净的硅片放入容器中，向容器中倒入配制好的混合酸液二，将容器加热，保持药液沸腾5‑10分钟，然后用去离子水冲洗干净，所述混合酸液二的配制体积比为：H2O2∶HCL∶去离子水＝1∶2∶20。5)将步骤4)中清洗干净后的硅片放在烘箱中，烘干1‑2小时。