[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201210131057.6 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102628186A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 交相 掺杂 铌酸钾钠基无铅 压电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶，其特征在于所述正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的化学式为(K1‑x‑yNaxLiy)(Nb1‑zTaz)O3，其结构为钙钛矿结构，其中0.3＜x＜0.6，0.01＜y＜0.03，0.1＜z＜0.2。
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