[发明专利]MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法无效
| 申请号： | 201210131045.3 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102646705A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张进成;张琳霞;郝跃;王冲;马晓华;党李莎;鲁明;周昊;孟凡娜;侯耀伟;姜腾 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。 | ||
| 搜索关键词： | mis gan 增强 hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属绝缘体半导体MIS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管HEMT器件，包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)、N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，其特征在于，GaN主缓冲层(3)中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，该凹槽的内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；栅电极(13)淀积在介质层(8)上。
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