[发明专利]一种用于制作准单晶硅的装置及一种准单晶硅的制作方法无效
| 申请号： | 201210127956.9 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103374746A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈戈;姜占锋;徐华毕;李国兵 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作准单晶硅的装置，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。本发明还涉及准单晶硅的制作方法，包括以下步骤：选取籽晶铺在所述的用于制作准单晶硅的装置的最下方的长方体坩埚的底部，进入长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；按照梯形体坩埚的体积投入熔融的硅料，进入下一次长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；按照梯形体坩埚上方的长方体坩埚的体积投入熔融的硅料，进入下一次长晶阶段，待硅晶体长成后降温得到硅锭；重复上述步骤，得到准单晶硅。本发明的制备方法采用本发明的装置能够降低籽晶用量，降低籽晶使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 单晶硅 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作准单晶硅的装置，其特征在于，所述装置包括至少二个长方体坩埚、以及至少一个梯形体坩埚，所述梯形体坩埚连接于相邻的二个长方体坩埚之间，并且位于上方的长方体坩埚大于位于下方的长方体坩埚。
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