[发明专利]利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201210124956.3 | 申请日： | 2008-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102709471A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | A·谢瑞克;S·B·赫纳;M·克拉克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成存储器单元的方法，包括：(1)在衬底上方形成第一导体(206)；(2)利用选择性生长工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；(3)在第一导体上方形成二极管(204)；以及(4)在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体(208)以获得交叉点存储器件。切换元件也可以通过一个TFT控向。切换元件包含难以刻蚀的材料如TiO2，并且该切换元件不是通过刻蚀该材料形成的，而是通过氧化其它的材料如Ti或者TiN形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择性 生长 可逆 电阻 切换 元件 存储器 单元 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成存储器单元的方法，所述方法包括：在衬底上方形成控向元件，其中形成所述控向元件包括形成垂直多晶二极管；通过下面的步骤选择性地形成与所述控向元件耦连的可逆电阻切换元件：在所述衬底上形成材料层；蚀刻所述材料层；和氧化所蚀刻的材料层以形成可逆电阻切换材料；和形成与所述垂直多晶二极管的多晶材料接触的硅化物、硅‑锗化物和锗化物区域，以便所述多晶材料处于低电阻率状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D公司，未经桑迪士克3D公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210124956.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包含脆弱段的分配装置和分配方法
- 下一篇：精确的压力传感器
