[发明专利]一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法有效
| 申请号： | 201210124792.4 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102637787A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李盼盼;李鸿渐;张逸韵;李志聪;梁萌;李璟;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的LED外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间断 生长 质量 ingan gan 多量 方法 | ||
【主权项】：
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，其特征在于，该方法包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN(1)，接着在uGaN(1)上生长nGaN(2)，然后在nGaN(2)上生长MQW应力释放层(3)；在MQW应力释放层(3)上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN(12)和pGaN(13)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210124792.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动上水的太阳能热水器
- 下一篇：点式轮胎硫化机
