[发明专利]不具有专用预充电晶体管的差分读出放大器有效
| 申请号： | 201210124232.9 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760473A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·费朗;R·特维斯 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种不具有专用预充电晶体管的差分读出放大器，这种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端；第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)，所述读出放大器具有被设置为分别耦合到第一位线和第二位线(BL，/BL)的一对预充电晶体管，以便将所述第一位线和第二位线(BL，/BL)预充电到预充电电压，其中所述预充电晶体管由上拉晶体管(M21，M22)或者下拉晶体管(M31，M32)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 专用 充电 晶体管 读出 放大器 | ||
【主权项】：
一种用于感测存储器单元阵列的多个存储器单元(C)中存储的数据的差分读出放大器，包括：第一CMOS反相器，其具有连接到第一位线(BL)的输出端和连接到与所述第一位线互补的第二位线(/BL)的输入端，第二CMOS反相器，其具有连接到所述第二位线(/BL)的输出端和连接到所述第一位线(BL)的输入端，每个CMOS反相器包括：具有漏极和源极的上拉晶体管(M21，M22)，以及具有漏极和源极的下拉晶体管(M31，M32)，每个CMOS反相器的上拉晶体管(M21，M22)和下拉晶体管(M31，M32)具有公共漏极，所述读出放大器具有被设置为分别耦合到所述第一位线和第二位线(BL，/BL)的一对预充电晶体管，以便将所述第一位线和第二位线(BL，/BL)预充电到预充电电压，其特征在于，所述预充电晶体管由所述上拉晶体管(M21，M22)或者由所述下拉晶体管(M31，M32)构成。
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