[发明专利]一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法无效
| 申请号： | 201210122415.7 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102618920A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 汪昌伟;陆昌忠 | 申请（专利权）人： | 浙江华友电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B35/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 林蜀 |
| 地址： | 324300 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法，该方法是将硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤控制，A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；D：当炉内熔料至剩余3～5%尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；E：开始引晶。采用本发明，逐步提高功率值进行单晶炉逐步升温，可以促进硅料充分吸热，并利用余热进行少部分硅料的熔化，都有利于降低能耗；另据实验结果表明，对石墨热场的使用寿命也有显著提高，可以从原来平均使用40炉左右提高至70炉左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶炉熔料 过程 中的 热能 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法，其特征在于将硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤进行单晶炉的热能控制，A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；D：当炉内熔料至剩余3～5%尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；E：开始引晶。
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