[发明专利]一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法无效
申请号: | 201210122415.7 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102618920A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 汪昌伟;陆昌忠 | 申请(专利权)人: | 浙江华友电子有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B35/00 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 林蜀 |
地址: | 324300 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法,该方法是将硅料置于单晶炉中后,按以下操作步骤控制,A:按40~45千瓦/小时的功率升低温,并保持恒定功率15~30分钟;B:按65~75千瓦/小时的功率升中温,并保持恒定功率15~30分钟;C:按75~85千瓦/小时的功率升高温,并保持恒定功率;D:当炉内熔料至剩余3~5%尚未熔化的硅料时,按65~75千瓦/小时的功率降至中温,并保持恒定功率30~60分钟,使硅料全部熔化;E:开始引晶。采用本发明,逐步提高功率值进行单晶炉逐步升温,可以促进硅料充分吸热,并利用余热进行少部分硅料的熔化,都有利于降低能耗;另据实验结果表明,对石墨热场的使用寿命也有显著提高,可以从原来平均使用40炉左右提高至70炉左右。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶炉熔料 过程 中的 热能 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法,其特征在于将硅料置于单晶炉中后,按以下操作步骤进行单晶炉的热能控制,A:按40~45千瓦/小时的功率升低温,并保持恒定功率15~30分钟;B:按65~75千瓦/小时的功率升中温,并保持恒定功率15~30分钟;C:按75~85千瓦/小时的功率升高温,并保持恒定功率;D:当炉内熔料至剩余3~5%尚未熔化的硅料时,按65~75千瓦/小时的功率降至中温,并保持恒定功率30~60分钟,使硅料全部熔化;E:开始引晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江华友电子有限公司,未经浙江华友电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210122415.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。