[发明专利]渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管有效
| 申请号： | 201210122392.X | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102623599A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李文兵;王江波;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管，通过能带工程设计与优化，在其外延结构中引入六种不同方式变化的类超晶格铝镓氮电子阻挡层来实现铝组分的变化，从而调节电子阻挡层中的极化效应，实现高的空穴注入，以解决紫外光半导体发光二极管中P型掺杂效率低空穴浓度不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 电子 阻挡 紫外光 氮化 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管，该发光二极管从下向上依次为，蓝宝石、一层非掺杂的氮化镓层、一层N型的氮化镓层、至少5对铝镓氮/铟镓氮多量子阱结构、铝组分渐变的电子阻挡层、P型的铝镓氮层、P型的铝镓氮盖层；其特征在于：铝镓氮电子阻挡层为一铝组分渐变的类超晶格结构。
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