[发明专利]硅通孔结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种硅通孔结构及其制造方法，先通过在背面处理工艺中将预先在通孔中形成的虚拟材料填充移除，然后在背面向通孔中沉积金属阻挡层，并将预先形成的多晶硅盖层转化为自对准金属硅化物，使得本发明的硅通孔结构与其上的互连器件接触的多晶硅界面平整，阻抗降低，从而使得互连器件结构性能提高；进一步地，本发明的硅通孔结构通过在通孔中填充碳纳米管替代铜，提高芯片堆栈的性能。

主权项

一种硅通孔结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和背表面；由所述半导体衬底的前表面刻蚀所述半导体衬底形成一开口；在所述开口的内表面上形成一层绝缘层；在所述开口中依次形成虚拟材料填充和多晶硅盖层；对所述半导体衬底的背表面进行化学机械平坦化，暴露出所述虚拟材料填充的底部表面；移除所述虚拟材料填充，在所述多晶硅盖层表面上形成金属阻挡层，并在所述多晶硅盖层处形成自对准金属硅化物。