[发明专利]硫系相变化合物与半导体基底产品及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种硫系相变化合物与半导体基底产品及其制备方法与应用。所述半导体基底产品的制备方法包括在基底表面沉积抗刻蚀薄膜，并通过将所述抗刻蚀薄膜的一部分去除的方式在所述基底上形成抗刻蚀图案，然后对所述半导体基底进行刻蚀，沉积抗刻蚀薄膜的靶材为硫系相变化合物，所述硫系相变化合物的通式为：GeaSbc-xTebBix，其中，a、b、c、x为原子百分比，且a+b+c＝100，19≤a≤27，54≤b≤62，19≤c≤27，0≤x≤c。本发明半导体基底产品的制备方法获得的抗刻蚀薄膜厚度均匀且同时具有正胶和负胶的特性；可在各种波长的光下进行选择性曝光；而且本发明的方法制备工艺简单；所得半导体基底产品具有广阔的应用前景。

主权项

一种硫系相变化合物，其特征在于，该硫系相变化合物的通式为：GeaSbc‑xTebBix，其中，a、b、c、x为原子百分比，且a+b+c＝100，19≤a≤27，54≤b≤62，19≤c≤27，0≤x≤c。