[发明专利]多晶硅薄膜电池片的生产工艺无效
申请号: | 201210119571.8 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN102646755A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 张海霞;张海军;车永军;田鹏 | 申请(专利权)人: | 锦州新世纪石英(集团)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺,步骤如下:1)、制作石墨基片;2)、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚,加热至完全熔化;3)、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅,并迅速脱离;4)、将石墨基片的底面朝上放置,冷却石墨基片上熔融的多晶硅,直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板;5)、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下;6)、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。优点是:使用到的设备简单、造价低廉、故障率低、容易维护,整个生产过程操作简单,工人无需经过专业的培训即可上岗操作,每公斤硅料出片率高,生产成本低,生产效率高,生产环境好,无需抛光,产品的光电转化效率高。 | ||
搜索关键词: | 多晶 薄膜 电池 生产工艺 | ||
【主权项】:
一种多晶硅薄膜电池片的生产工艺,其特征是:1)、制作石墨基片;2)、将提纯后的多晶硅投入石墨坩埚,加热至完全熔化;3)、使石墨基片的底面掠过熔融的多晶硅,并迅速脱离;4)、将石墨基片的底面朝上放置,冷却石墨基片上 直至多晶硅完全凝固形成多晶硅薄膜电池板;5)、将多晶硅薄膜电池板由石墨基片上取下;6)、将多晶硅薄膜电池板切割形成多晶硅薄膜电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的