[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 201210118960.9 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378015A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块、下凸块以及热敏光敏胶层。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表面上，并与穿硅通孔电性连接。热敏光敏胶层设置于上表面上，包围上凸块具有开孔，且开孔与下凸块的宽度大致相同。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，包含：基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述上表面以及所述下表面；上凸块设置于所述上表面上，并与所述穿硅通孔电性连接；下凸块设置于所述下表面上，并与所述穿硅通孔电性连接；以及热敏光敏胶层，设置于所述上表面上并围绕所述上凸块，所述热敏光敏胶层具有开孔，且所述开孔的宽度与所述下凸块的宽度大致相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210118960.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
