[发明专利]双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210115334.4 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103378138A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 朱恩均 | 申请（专利权）人： | 朱恩均 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100076 北京市丰台区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种双极晶体管及其制作方法。所述双极晶体管包括：重掺杂衬底；在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层；设置在所述轻掺杂外延层内的集电区；设置在所述轻掺杂外延层内、位于所述集电区上方且与所述集电区相邻的基区；位于所述轻掺杂外延层上、且位于基区上的发射区。采用本发明所提供的双极晶体管，所述轻掺杂外延层内具有集电区，所述集电区即为本征区，所述集电区两侧的轻掺杂外延层电容较小，对集电区的电容干扰较小，因此，器件的线性性能较好，同时在高频段器件的输出功率具有大幅度的提高，且效率也可增大约一倍。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，其特征在于，包括：重掺杂衬底；位于所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层；设置在所述轻掺杂外延层内的集电区；设置在所述轻掺杂外延层内、位于所述集电区上方且与所述集电区相邻的基区；位于所述轻掺杂外延层上、且位于所述基区上的发射区。
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