[发明专利]使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法无效
| 申请号： | 201210115141.9 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102653390A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;朱福运;张晓升 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余功勋 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法。将硅片放入等离子体刻蚀设备反应室后，抽取反应室内气体至本底真空，混合通入刻蚀气体与钝化气体，调节工作压强至预设范围；然后启动射频电源，产生稳定等离子体，使等离子体与硅发生反应，进行刻蚀，形成纳米森林结构。本发明在无需任何纳米掩膜的条件下即可在晶片范围内均匀地制备高密度、高深宽比的纳米森林结构，工艺简单，便于实现，且制备效率高、成本低廉。刻蚀气体和钝化气体在刻蚀过程中混合后连续通入，线圈射频电源和平板射频电源也是以恒定功率连续工作，不需要间歇，过程简单，因而对设备性能的要求和控制的精确度都有很大程度的降低，刻蚀速率也有提高。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 混合气体 刻蚀 制备 纳米 森林 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种使用混合气体刻蚀制备纳米森林结构的方法，其步骤包括：1)将硅片放入等离子体刻蚀设备反应室；2)抽取反应室内气体至本底真空，混合通入刻蚀气体与钝化气体，调节工作压强至预设范围；3)启动射频电源，产生稳定等离子体；4)等离子体与硅发生反应，进行刻蚀，形成纳米森林结构。
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