[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法

摘要

一种太阳能电池单元，包括基板，该基板具有第三表面和与该第三表面相对的第四表面，其中，在所述第三表面和第四表面上分别具有第三掺杂区和第四掺杂区，在与所述第三表面和第四表面相邻的侧表面上分别具有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第三掺杂区和第四掺杂区中杂质的类型相反，所述第一掺杂区和第二掺杂区的表面具有单一的掺杂类型。相应还提供了一种太阳能电池单元的制造方法。本发明所提供的太阳能电池单元的侧面具有单一掺杂类型，利于对该侧面进行处理以降低表面区域的载流子复合，以及利于从该侧面引出电极，提高进光效率。此外，本发明所提供的太阳能电池单元在反向偏压时，等效于内置了旁路二极管，从而不需要额外的旁路二极管。

主权项

一种太阳能电池单元的制造方法，该方法包括：a)提供衬底(100)，所述衬底(100)包括第一表面(101)和与该第一表面(101)相对的第二表面(102)；b)对所述第一表面(101)和第二表面(102)分别进行重掺杂，在所述第一表面(101)上形成第一掺杂区(110)以及在所述第二表面(102)上形成第二掺杂区(120)；c)从所述衬底的第一表面(101)和第二表面(102)形成至少两个第一沟槽(300)以及至少一个第二沟槽(301)，其中每个所述第二沟槽(301)位于相邻的两个所述第一沟槽(300)之间，从而形成至少两个基板(500)和至少一个基片构成的竖直基板阵列；d)对所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)的侧壁分别进行重掺杂，在所述第一沟槽(300)的侧壁形成第三掺杂区(130)以及在所述第二沟槽(301)的侧壁形成第四掺杂区(140)，其中，在所述第一掺杂区(110)和所述第二掺杂区(120)的杂质类型相同的情况下：所述第三掺杂区(130)的杂质类型和第一掺杂区(110)以及第二掺杂区(120)的杂质类型相同，第四掺杂区(140)中的杂质类型和第一掺杂区(110)以及第二掺杂区(120)中的杂质类型相反，且第四掺杂区(140)的最高掺杂浓度比第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的最高掺杂浓度低；或者在所述第一掺杂区(110)和所述第二掺杂区(120)的杂质类型相反的情况下：第三掺杂区(130)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相反，且第三掺杂区(130)中靠近第一沟槽(300)底部的区域的最高掺杂浓度比第二掺杂区(120)的最高掺杂浓度低，第四掺杂区(140)和第一掺杂区(110)中杂质的类型相反，且第四掺杂区(140)中靠近第二沟槽(301)底部的区域的最高掺杂浓度比第一掺杂区(110)的最高掺杂浓度低。