[发明专利]一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法

摘要

本发明公开了一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法。包括如下步骤：1)在N型均匀掺杂的硅单晶片的表面上扩散入N型半导体杂质，得到N+/N型扩散片。2)在N+/N型扩散片的表面上扩散入P+型半导体杂质，得到P+/N+/N型扩散片。3)研磨P+/N+/N型扩散片的上下表面，并镀上镍层。4)将P+/N+/N型扩散片锯切成二极管芯片。5)将二极管芯片的上下表面与封装底座焊接、酸洗、上绝缘硅胶钝化、压模成型，制成硅二极管。本发明的P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法在选用硅单晶材料上比传统工艺方法有着更大的灵活性、适应性，从而有效提高产品性价比，产生可观的经济效益。

主权项

一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法，其特征在于包括如下步骤：1）先采用1号化学电子清洗液清洗，1号化学电子清洗液的组成为NH4OH：H2O2：H2O=1:2：5，然后采用2号化学电子清洗液清洗，2号化学电子清洗液的组成为HCL：H2O2：H2O=1：2：8，清洗温度均为80～85℃，清洗时间均为10～20分钟，再采用纯水冲洗2～3次，纯水电阻率≥15兆欧姆厘米，每次冲水时间≥30分钟，硅片清洗后甩干；2）在均匀掺杂的N型硅单晶片的表面上高温扩散入N+型半导体杂质，得到N+/N型扩散片；所扩散的N+型半导体杂质源为磷纸，扩散温度为1150℃～1250℃，扩散时间为2～4H；再在N+/N型扩散片的表面上高温扩散入P+型半导体杂质，得到P+/ N+/N型扩散片；所扩散的P+型半导体杂质源为硼纸，扩散温度为1260℃～1280℃，扩散时间为1～3H：3)研磨P+/ N+/N型扩散片的上下表面，并在上下表面镀上镍层；4)将上下表面镀有镍层的P+/ N+/N型扩散片锯切成二极管芯片；5)将二极管芯片的上下表面与封装底座焊接，酸洗、上胶钝化、压模，制成硅二极管。