[发明专利]应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件有效
| 申请号： | 201210110878.1 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637741A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | B·多伊尔;S·达塔;J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;A·马朱姆达;M·拉多萨夫耶维克;R·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 金属 氧化物 半导体 工艺 共振 器件 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：第一栅极结构，相邻于第二栅极结构且通过沟槽隔离于所述第二栅极结构；形成在所述第一栅极结构周围的第一结区，使得所述第一栅极结构的至少一部分暴露在所述第一结区上，和形成在所述第二栅极结构周围的第二结区，使得所述第二栅极结构的至少一部分暴露在所述第二结区上，所述第二结区由所述沟槽隔离于所述第一结区，使得在所述第一和第二结区间的所述沟槽上形成间隙；在所述第一栅极结构和所述第一结区的下面形成第一隧道势垒的第一介电层，所述第一隧道势垒限定了具有支撑所述第一栅极结构的第一宽度的第一沟道，和在所述第二栅极结构和所述第二结区的下面形成第二隧道势垒的第二介电层，所述第二隧道势垒限定了具有支撑所述第二栅极结构的第二宽度的第二沟道；及在所述第一和第二介电层下面的半导体衬底层，所述半导体衬底层被蚀刻而形成第一和第二沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210110878.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
