[发明专利]一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法无效
| 申请号： | 201210110798.6 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102709153A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低介电常数介质层上沉积一层氧化硅层，包括金属-氧化物-金属区域的第一氧化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氧化硅层；刻蚀第二氧化硅层；在非金属-氧化物-金属区域的上方沉积一层第二低介电常数介质层；刻蚀第一氧化硅层，形成第一金属槽，刻蚀第二低介电常数介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属‑氧化硅‑金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属‑氧化物‑金属制作区域和非金属‑氧化物‑金属制作区域； 采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氧化硅层，所述氧化硅层包括金属‑氧化物‑金属区域的第一氧化硅层和非金属‑氧化物‑金属区域的第二氧化硅层； 刻蚀去除所述第二氧化硅层； 在所述非金属‑氧化物‑金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层； 刻蚀所述第一氧化硅层，形成第一金属槽，并且刻蚀所述第二低介电常数介质层，形成第二金属槽； 向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210110798.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：继电保护定值的在线校对方法与系统
- 下一篇：一种纳米改性环氧防腐漆
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
