[发明专利]一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法无效
| 申请号： | 201210110746.9 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102649538A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张照云;施志贵;彭勃;高杨;苏伟 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法，本发明的方法包括：在SOI硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；在硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；刻蚀硅片背面暴露出的绝缘层；将硅片跟玻璃进行键合；在硅片正面光刻定义MEMS结构区，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；裂片、封装、测试。本发明提出的硅玻璃键合的SOIMEMS制备方法利用绝缘层作为刻蚀自停止层，结构层厚度均匀性好；且结构层不直接跟玻璃键合，减小了衬底跟玻璃键合引入的应力对MEMS器件性能影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 玻璃 soi mems 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于硅玻璃键合的SOI MEMS制备方法，其步骤包括：（a）在SOI 硅片结构层表面进行光刻、采用剥离工艺制作金属电极；（b）在SOI 硅片背面进行光刻，对背面硅进行刻蚀直至绝缘层；（c）刻蚀SOI 硅片背面暴露出的绝缘层；（d）将SOI 硅片与玻璃进行键合；（e）在SOI 硅片正面光刻定义MEMS结构区，采用DRIE各向异性刻蚀释放微结构；（f）裂片、封装、测试。
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